SRK 2012

Teoretične meje frekvenčne pasovne širine prilagoditvenih vezij so na mikrovalovnem področju težko dosegljive zaradi tehnoloških problemov ter zaradi pomanjkanja ustreznih modelov nekaterih struktur. Zlasti koncentrirani elementi (induktivnosti, kapacitivnosti) vsebujejo mnogo parazitnih elementov, ki vplivajo na želeno prevajalno funkcijo vezja. Boljši rezultati se dosegajo s trakastimi linijami (microstrip) izvedenimi na raznih substratih, čeprav nekateri problemi pri modeliranju teh vezij še vedno obstajajo. Pri Chebyshevih impedančnih transformerjih, sestavljenih iz kratkih odsekov linij z različnimi karakterističnimi impedancami, nastopa problem modeliranja velikih impedančnih skokov. Modeliranje z nadomestnimi kapacitivnostmi, ki se pogosto podaja v literaturi, daje v praksi bolj slabe rezultate. Nadomestitev impedančnega skoka s kratkim odsekom izgubne linije je mnogo bolj ustrezen model, čeprav še vedno ne idealen.

Avtor je na praktičnem primeru izvedel računalniško optimizacijo širokopasovnega Chebyshevega impedančnega transformerja. Rezultati meritev na realiziranem vezju so se praktično ujemali z rezultati računalniške analize.

Predstavljen je tudi širokopasovni močnostni ojačevalnik, ki je bil razvit z uporabo omenjenih metod.